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半导体工艺用化学品—昆山明隆化工
半导体制造在很大程度上是一种与化学有关的工艺过程,高达20%工艺步骤是清洗和晶圆表面的处理:
我们习惯将硅片制造中使用的化学材料称为工艺用化学品,有不同种类的化学形态(液态和气态)并且要严格控制纯度。这些工艺用化学品主要作用如下:
用湿法化学溶液和超纯水清洗硅片表面;
用高能离子对硅片进行掺杂得到P型或N型硅材料;
淀积不同的金属导体层及导体层之间必要的介质层;
生成薄的SiO2层作为MOS器件主要栅极介质材料;
用等离子体增强刻蚀或湿法试剂,有选择的去除材料,并在薄膜上形成所需要的图形;
液态高纯试剂,其等级根据纯度分为UP-S、UP、EL三个等级,其中EL又划分为:
电子级1级(EL-Ⅰ)其金属杂质含量为100--1000 PPb,相当SEMI C1 C2标准;
电子级2级(EL-Ⅱ)其金属杂质含量为10--100 PPb,,相当SEMI C7标准;
电子级3级(EL-Ⅲ)其金属杂质含量为1--10 PPb,相当SEMI C7标准;
电子级4级(EL-Ⅳ)其金属杂质含量为0.1--1PPb,相当SEMI C8标准;
1.液态化学品
在半导体制造的湿法工艺步骤中使用了许多种液态化学品。在硅片加工厂减少使用化学品是长期的努力。许多液体化学品都是非常危险的,需要特殊处理和销毁手段。另外,化学品的残余不仅会沾污硅片,还会产生蒸气通过空气扩散后沉淀在硅片表面。
在硅片加工厂液态工艺用化学品主要有以下几类:酸、碱、溶剂
①酸
以下是一些在硅片加工中常用的酸及其用途:
a.HF 刻蚀二氧化硅及清洗石英器皿
b.HCL 湿法清洗化学品,2号标准液一部分
c.H2SO4 清洗硅片
d.H3PO4 刻蚀氮化硅
e.HNO3 刻蚀PSG
②碱
在半导体制造中通常使用的碱性物质
a.NaOH 湿法刻蚀
b.NH4OH 清洗剂
c.KOH 正性光刻胶显影剂
d.TMAH(氢氧化四甲基铵) 同上
③溶剂:是一种能够溶解其他物质形成溶液的物质。
半导体制造中常用的溶剂:
1.去离子水清洗剂 (昆山明隆化工有限公司供应产品)
2.异丙醇清洗剂 (昆山明隆化工有限公司供应产品)
3.三氯乙烯清洗剂 (昆山明隆化工有限公司供应产品)
4.丙酮清洗剂 (昆山明隆化工有限公司供应产品)
5.二甲苯清洗剂 (昆山明隆化工有限公司供应产品)
去离子水:它里面没有任何导电的离子,PH值为7,是中性的。能够溶解其他物质,包括许多离子化合物和共价化合物。通过克服离子间离子键使离子分离,然后包围离子,最后扩散到液体中。
半导体工厂消耗大量的酸、碱、溶剂和水,为达到精确和洁净的工艺,需要非常高的品质和特殊反应机理。
部分工艺过程简述如下:
一、NH4OH/H2O2/H2O (SC-1):
利用氨水的弱碱性活化硅晶圆及微粒子表面,使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥;双氧水具有氧化晶圆表面的作用,然后氨水对SiO2进行微刻蚀,去除颗粒;
氨水与部分过度金属离子形成可溶性络合物,去除金属不溶物;
NH4OH:H2O2:H2O=0.05~1:1:5
二、HCl/H2O2/H2O(SC2):
利用双氧水氧化污染的金属,而盐酸与金属离子生成可溶性的氯化物而溶解。
HCl:H2O2:H2O=1:1:6,在70度下进行5~10分钟的清洗;
三、H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean):
利用硫酸及双氧水的强氧化性和脱水性破坏有机物的碳氢键,去除有机不纯物。
四、H2SO4:H2O2=2~4:1,在130度高温下进行10~15分钟的浸泡
五、HF/H2O(DHF)或HF NH4F/H2O(BHF):
清除硅晶圆表面自然生成的氧化层,通常使用稀释后的氢氟酸(0.49%~2%)或以氢氟酸和氟化铵生成的缓冲溶液;
HF:NH4F=1:200~400,在室温下进行15~30秒的反应;
六、光阻-树脂、感光剂、溶剂,光阻稀释液-PGMEA PGME,清除晶圆残余光阻。
七、显影剂-TMAH TEAH;
八、二氧化硅层蚀刻—采用HF及NH4F的缓冲溶液。
九、多晶硅层蚀刻—采用HF、CH3COOH 、HNO3、三种成分的混合液;
十、氮化硅层蚀刻—采用85%H3PO4在160~170度高温下进行蚀刻;
十一、铝导线蚀刻—采用己硝酸、磷酸及醋酸等多种无机酸混合液;
十二、研磨液(slurry)
界电层平坦化研磨液—溶有硅土(Silica,SiO2)的KOH或NH4OH溶液;
金属层平坦化研磨液—溶有矾土(Al2O3)的Fe(NO3)3或H2O2溶液;
十三、研磨后清洗液
13.1使用稀释的氨水去除研磨后残留的粒子
13.2使用氢氟酸去除微量的金属污染物
在铜制程中,一般不使用无机的酸碱,通常使用化学性质较为温和的有机酸或有机碱,在添加一定的活性剂和獒合剂。